首页 产品中心 案例中心 新闻中心 关于我们 联系我们

细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。

碳化硅生产需要什么设备

2022-09-19T04:09:11+00:00
  • 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布,有哪些工艺设备?有多难做

    网页2020年10月21日  以碳化硅MOSFET工艺为例,整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。网页2022年3月7日  2、衬底 长晶完成后,就进入衬底生产环节。 经过定向切割、研磨(粗研磨、精研磨)、抛光(机械抛光)、超精密抛光(化学机械抛光),得到碳化硅衬底。 衬 碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎

  • 技术碳化硅产业链条核心:外延技术 知乎

    网页2020年12月2日  技术碳化硅产业链条核心:外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高 网页碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿 碳化硅百度百科

  • 为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆? 知乎

    网页2023年1月3日  在国产外延设备方面,北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备,且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节(疫 网页产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道,2022年以来,受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响,半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

  • 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎

    网页2021年12月16日  针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的 网页2023年4月6日  碳化硅加工设备工作原理: 将需要粉碎的物料均匀连续的送入磨粉机械械主机磨室内,由于旋转时离心力作用,磨辊向外摆动,紧压于磨环,铲刀铲起物料送到磨 碳化硅加工设备

  • 碳化硅百度百科

    网页碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。网页2020年6月16日  碳化硅器件的制备方面,个人理解主要有 1 光刻对准,相较于传统硅片,双面抛光的碳化硅晶圆是透明的,光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺,由于碳化硅材料的特性,制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式,而且需要高能粒子注入。碳化硅器件目前有什么生产难点?? 知乎

  • 第三代半导体发展之碳化硅(SiC)篇 知乎

    网页2019年9月5日  第三代半导体材料:以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点,适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合。 第三代半导体材料可以满足现代社 网页2021年12月24日  33kV高压SiC模块在国内的应用刚刚开始,为了应对产品开发实践或生产碰到的一些问题,三菱电机开发了一款工艺组件设计。 其拓扑用的模块是33kV 750A SiC模块,因为对牵引应用的电流等级稍小一些,所以并联非常必要,该组件是用2个33kV 750A SiC模块并联的 我想了解一下碳化硅的生产工艺? 知乎

  • 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

    网页产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道,2022年以来,受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响,半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是,虽然半导体产业已经步入下行周期,但仍有部分 网页2023年1月3日  在国产外延设备方面,北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备,且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节(疫情等原因),无法快速放量,主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆? 知乎

  • 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎

    网页2021年12月16日  针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与意义 作为半导体产业中的衬底材料,碳化硅单晶具有优 网页2022年3月22日  SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si 碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有

  • SIC外延漫谈 知乎

    网页2021年5月24日  碳化硅超结深槽外延关键制造工艺 企业 碳化硅外延片生产的国外核心企业,主要以美国的Cree、 DowCorning、IIVI、日本的罗姆、昭和电工、三菱电机、德国的Infineon 等为主。其中,美国公司就占据全球7080%的份额。技术上也在向6英寸为主的方向 网页2017年4月21日  中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。 黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。 但是与国际相比,中国碳化硅的成产还存在以下问题:(1)生产设备不先进,很多工序依靠人力完成,人均产量较低。 (2)碳化硅的分散 简述碳化硅的生产制备及其应用领域 中国粉体网

  • 碳化硅百度百科

    网页碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。网页2023年1月3日  在国产外延设备方面,北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备,且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节(疫情等原因),无法快速放量,主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆? 知乎

  • 碳化硅器件目前有什么生产难点?? 知乎

    网页2020年6月16日  碳化硅器件的制备方面,个人理解主要有 1 光刻对准,相较于传统硅片,双面抛光的碳化硅晶圆是透明的,光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺,由于碳化硅材料的特性,制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式,而且需要高能粒子注入。网页2021年3月18日  3月17日,中国 电子科技集团有限公司集团旗下装备子集团,已成功实现离子注入机全谱系产品国产化,可为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。 碳化硅在制程上,大部分设备与传统硅生产线相同,但由于碳化硅具有硬度高等特性,需要一些特殊的生产设备,如高温离子注入机、碳膜 SiC芯片制造关键设备再突破!离子注入机产品国产化碳化硅

  • 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学

    网页2020年8月21日  2碳化硅粉体合成设备 碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体,高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应,通过高温合成的方法生成。网页2022年4月10日  # SiC制造需要特定的设备和开发特定的工艺 多个成熟的 Si 工艺已成功转移到 SiC。然而,碳化硅材料特性需要 开发特定的工艺,其参数必须优化和合格: 蚀刻: 碳化硅对化学溶剂是惰性的,只有干蚀刻是可行的。掩膜材料、掩膜蚀刻选择性 一文搞懂SiC功率器件的市场、应用和制造工艺面包板社区

  • 最全!解析碳化硅外延材料产业链 21ic电子网

    网页2020年11月25日  解析碳化硅外延材料产业链 [导读] 与传统硅功率器件制作工艺不同的是,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法,温度高达2000多 网页2021年11月28日  前两天写了篇文章 碳化硅(SIC)为什么就一片难求 !{碳化硅(SIC)为什么就一片难求 !}简单介绍了一下三代半导体中碳化硅的大致情况。即使在2001年,英飞凌就已经生产出来碳化硅的功率半导体,距今过去了20年了,但目前阶段依然 碳化硅(SiC)衬底,未来大哥是谁! 前两天写了篇文章

  • 国产率提升至35%!详解半导体设备主要工序国产化机会

    网页2023年4月24日  但是对于更先进制成的逻辑器件,源漏接触电阻率要低于109甚至1010量级,此时需要退火设备 该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商,预计将在2023 年第三季度末发货。据悉,盛美上海自主研发出的SAPS、TEBO兆声波清洗技术和Tahoe单片槽式