细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

加工碳化硅的设备加工碳化硅的设备加工碳化硅的设备

2022-07-07T21:07:04+00:00

碳化硅晶片加工过程及难点知乎

网页2022年1月21日碳化硅微粉在高温下升华形成气相的Si2C、SiC2、Si等物质，在温度梯度驱动下到达温度较低的籽晶处，并在其上结晶形成圆柱状碳化硅晶锭。 3、晶锭加工：将网页2020年10月21日碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。碳化硅半导体产业发展现状在我国进行产首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

碳化硅切割设备行业：多技术并行碳化硅衬底切片设备加速

网页36 分钟之前推荐标的：实现高线速碳化硅金刚线切片机批量销售，已推出8 寸碳化硅金刚线切片机并持续推进设备国产替代的高测股份。推出国内首款高线速碳化硅金刚线切片网页2021年12月16日针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

网页环宇数控9月在互动平台上表示，公司作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材料的磨削和抛光等网页2023年4月17日切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

2023年晶升股份研究报告晶体生长设备领先厂商，碳化硅

网页2023年4月25日 2023年晶升股份研究报告，晶体生长设备领先厂商，碳化硅业务加速成长。南京晶升装备股份有限公司（后简称为公司）前身为晶升有限（成立于2012年1 网页每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：贵公司的碳化硅设备是否能应用到第三代半导体领域吗？宇晶股份（SZ）2月17日在投资者互动平台表示，碳化硅是第三代宇晶股份：公司碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工

宇环数控表示碳化硅设备已有部分环节有样机推出，尚未取得

网页宇环数控表示碳化硅设备已有部分环节有样机推出，尚未取得客户订单，这对企业发展有何影响？宇环数控近期披露投资者关系活动记录表显示，公司碳化硅设备可参与到碳化硅材网页可从丰富的材料及卓越的特性中任意选择，京瓷精密陶瓷的机械特性碳化硅的特性选择页面。（机加工）精度采用京瓷独有的工艺可实现超高精度。机加工精度受形状和材料影响。碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA

第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

网页2019年9月5日第三代半导体材料：以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点，适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合。第三代半导体材料可以满足现代社网页环宇数控9月在互动平台上表示，公司作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材料的磨削和抛光等工序。深科达也表示，公司正在研发的芯片划片机可以应用于碳化硅。产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

网页2023年4月17日切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅硬度高，需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间，且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅粉尘的形式成为废料，单个晶锭网页四、碳化硅产品加工工艺流程 1、制砂生产线设备组成制砂生产线由颚式破碎机、对辊破碎机、球磨机、清吹机、磁选机、振动筛和皮带机等设备组合而成。根据不同的工艺要求，各种型号的设备进行组合，满足客户的不同工艺要求。 2、制砂生产线基本 1碳化硅加工工艺流程百度文库

碳化硅晶体生长工艺及设备西安理工大学技术研究院 xaut

网页2017年10月25日利用该设备开发了PVT法制备大直径碳化硅晶体的生长工艺，已成功制备直径100mm、厚度超过25mm的4HSiC体单晶，同时也掌握了SiC晶锭切、磨、抛的基本技术，已在碳化硅晶体生长设备、生长工艺、热场模拟分析、碳化硅材料表征、晶片加工等方面积网页2022年10月10日碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述——浙大科创

碳化硅切割设备行业：多技术并行碳化硅衬底切片设备加速

网页36 分钟之前推荐标的：实现高线速碳化硅金刚线切片机批量销售，已推出8 寸碳化硅金刚线切片机并持续推进设备国产替代的高测股份。推出国内首款高线速碳化硅金刚线切片机GCSCDW6500 可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率，显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代。网页2023年4月25日 2023年晶升股份研究报告，晶体生长设备领先厂商，碳化硅业务加速成长。南京晶升装备股份有限公司（后简称为公司）前身为晶升有限（成立于2012年1月），主要业务包括“半导体级单晶硅炉”、“碳化硅单晶炉”和“蓝宝石单晶炉”三大领域。2023年晶升股份研究报告晶体生长设备领先厂商，碳化硅

宇环数控：碳化硅设备已有部分环节有样机推出，尚未取得

网页1 天前公司碳化硅设备可参与到碳化硅材料加工的晶锭端面磨削，晶锭外圆磨削、磨参考边等工序，目前已有部分环节有样机推出，尚未取得客户订单。由于不同加工工序需要的设备不同，产品单台价值量也有不同。网页36 分钟之前推荐标的：实现高线速碳化硅金刚线切片机批量销售，已推出8 寸碳化硅金刚线切片机并持续推进设备国产替代的高测股份。推出国内首款高线速碳化硅金刚线切片机GCSCDW6500 可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率，显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代。碳化硅切割设备行业：多技术并行碳化硅衬底切片设备加速

碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA

网页可从丰富的材料及卓越的特性中任意选择，京瓷精密陶瓷的机械特性碳化硅的特性选择页面。（机加工）精度采用京瓷独有的工艺可实现超高精度。机加工精度受形状和材料影响。网页2023年4月17日切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅硬度高，需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间，且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅粉尘的形式成为废料，单个晶锭碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹

网页2021年12月4日碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。网页2022年10月28日因此，碳化硅衬底切割、研磨、加工的耗材还需不断发展和完善。下面我们对各工序产品进行逐一介绍。 01 碳化硅单晶衬底多线切割液目前切割碳化硅的主流方法是砂浆线切割(游离磨粒线切割)，砂浆线切割(游离磨粒线切割)是指在加工过程中切割线往复高速碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

网页环宇数控9月在互动平台上表示，公司作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材料的磨削和抛光等工序。深科达也表示，公司正在研发的芯片划片机可以应用于碳化硅。网页2023年4月25日 2023年晶升股份研究报告，晶体生长设备领先厂商，碳化硅业务加速成长。支持产业，主要包括晶体生长设备、热处理设备和光刻设备等，为中游制造产业提供必要的生产设备，进行加工后应用于下游各个领域。2023年晶升股份研究报告晶体生长设备领先厂商，碳化硅

碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星腾讯新闻

网页2023年4月17日现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅硬度高，需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间，且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅粉尘的形式成为废料，单个晶锭生产出的晶圆数量少，造成碳化硅功率器件成本高昂。网页2020年6月16日虽然离子注入和退火的目的和传统器件制备没有什么区别，但是由于碳化硅材料的特性，退火的温度要高达1600摄氏度左右，在这么高的温度下，如何保证晶圆表面粗糙度，又要达到高的离子激活率和相对比较准确的P区形状是一个难点。 3 针对于碳化碳化硅器件目前有什么生产难点？？知乎